TEL:400-0033-603

銷售熱線:

400-0033-603

 

總經理投訴電話:18009693519

貝意克獎學金—尋找最閃耀的你
開工大吉
利用磁性石墨烯實現2D自旋邏輯存儲技術
我與貝意克的故事---人物專訪

 ------- 實驗室預約 -------- 

微信公眾號

安徽貝意克設備技術有限公司

合肥百思新材料研究院

合肥歐萊迪光電科技有限公司

我要留言

歡迎點擊留下您寶貴的意見

我們會在第一時間給您回復

Copyright 2017  安徽貝意克設備技術有限公司   皖ICP備12002778號-1   技術支持:中企動力  合肥

>
>
非標定制
公斤級回轉爐 BTF-1200C-III-R-150
設備型號:BTF-1200C-III-R-150 設備簡介:本設備集成了一臺1200C的三溫區管式爐,溫區長:300*300*300和一臺三溫區預熱爐,溫區長:200*200*200;2路氣體流量和通過蠕動泵控制的液體一起進入盤管中,通過三溫區預熱爐預熱后導入右端法蘭進氣口;通過法蘭內導液(氣)管進入異形石英管反應區與儲料罐通過送料機構送入的粉料混合參與反應;左右端配置水冷磁流體法蘭;通過旋轉異形石英管攪拌試驗樣品;出料取樣通過電動推桿升起抬高設備平臺,傾斜卸料;法蘭左端(末端)配備過濾 冷凝裝置,用于未參與反應的液體。設備同時配套真空泵和冷水機,通過觸摸屏操控。
18.7L 1200℃真空氣氛箱式爐 ZMF-1200C-M
設備型號:ZMF-1200C-M
回轉放氣爐 BTF-700C-III-R
設備型號:BTF-700C-III-R 設備簡介:本設備加熱爐采用電阻絲加熱,技術成熟質量可靠,溫場均勻。爐管內部帶粉塵擋板,兩端為磁流體旋轉密封,爐管整體由伺服電機驅動在加熱爐膛內旋轉,轉速可調。氣體緩沖罐,設計容量600L設置壓力泄放安全裝置。緩沖罐接口開關控制全部為PLC智能電動控制。高真空機組使用羅茨泵機組帶粉塵過濾器,抽速300L/S,真空度≤10pa,設置有粗真空旁抽管路,安全保護程序。廣泛應用于電池正負極材料、無強酸堿性粉體材料、顆粒狀物料等。
間歇式CVD回轉爐 BTF-1200C-III-150-CVD
設備型號:BTF-1200C-III-150-CVD
智能型大口徑高真空退火爐 BTF-1100C-IIIA-05
設備型號:BTF-1100C-IIIA-05
單溫區立式攪拌爐 BTF-700C-VT-50
設備型號:BTF-700C-VT-50
800℃十六管熱穩定測試設備 BOF-800C-16D
設備型號:BOF-800C-16D 設備簡介:熱穩定測試臺設備專為OLED行業發光有機材料熱穩定測試設計,其十六管結構可以一次獨立完成16種材料的測試,集成控制系統能統一記錄并分別控制各個腔體內的溫度和熱穩定測試時間。
智能升降鐘罩爐 BTF-1200C-BELL
設備型號:BTF-1200C-BELL
小型浮動催化系統 BTF-1500C-CVD
設備型號:BTF-1500C-CVD
定制型升華設備 BOF-2C-400D
設備型號:BOF-2C-400D
雙管式高真空管式設備 BSL-1ZH-D80-2D
設備型號:BSL-1ZH-D80-2D 設備簡介:雙管式高真空管式設備BSL-1ZH-D80-2D,配備真空系統、手搖升降機構、觸摸屏控制系統、氣路組件、真空系統、防護組件等;設備平臺可0-20度手動升降,雙管高真空實驗;設備左端法蘭上每管配有壓力表和2個截止閥控制的進氣口,其中一個為備用扣;右端法蘭上端配有壓力保護裝置,出氣口對接點火裝置,方便處理尾氣;后部通過手動插板閥對接冷井至真空泵組合:分子泵+干泵。
搖擺管式爐(Swing tube furnace)
型號:BTF-1200C-SK 關鍵詞:搖擺管式爐BTF-1200C-SK是一款管式搖擺爐,最高溫度可達1200℃,30段可編程精密溫度控制器,可根據不同的客戶需求來設定升降溫程序,設備可設定取放料工位(如垂直取放料),并設定搖擺起始工位(如垂直作為起始工位),可實現液晶屏一鍵歸位,速度范圍為0-30次/min,傾斜角度可達±30度。內置310不銹鋼防護管,可很好的在石英樣管出現特殊情況爆管的時候起到保護作用。 產品用途:可通過搖擺提高熔體均勻性、細化晶粒,廣泛應用于熱電材料制備工藝中。
雙獨立溫場高溫滑軌爐(High temperature slide furnace with double independent temperature field)
型號:BTF-1400C-II-SSL 關鍵詞:BTF-1400C-II-SSL是一款兩個完全獨立溫場的高溫滑軌爐,采為卡箍快捷密封法蘭,安裝拆卸取放樣品簡便快捷,兩個數字溫度控制器可獨立控制溫度,并可設置30段升降溫程序,加熱區均采用硅碳棒進行加熱,連續使用溫度可達1300度;兩個獨立的爐體可靠近亦可分離,可以靈巧的控制整個溫度分布。 適用范圍:廣泛用于CVD實驗、熒光粉制備、真空或氣氛燒結、基片鍍膜等要求加熱溫度較高的實驗環境中。
1200℃智能型PECVD系統(含壓力控制系統) PECVD-500A-D
設備型號: PECVD-500A-D 設備簡介:智能PECVD-500A-D是將所有的控制部分集為一體且目前最新型的一款設備??膳鋫銹E射頻電源,將CVD系統升級為PECVD。當參與反應的氣氛進入爐管在射頻電源的作用下產生離子體,可使反應更加充分。同時等離子體起增強的作用,從而很大程度上優化實驗的工藝條件。我公司研制的滑軌式PECVD系統能使整個實驗腔體都處于輝光產生區,輝光均勻等效,這種技術很好的解決了傳統等離子工作不穩定狀態,這樣離子化的范圍和強度是傳統PECVD的百倍,并解決了物料不均勻堆積現象。與傳統CVD系統比較,生長溫度更低。使用滑軌爐實現快速升溫和降溫,設備特有的專利技術使得整管輝光均勻等效,均勻生長。
定制小型立式滑軌爐 BTF-700C-III-SVT
設備型號:BTF-700C-III-SVT
1200℃前端預熱法硫化鉬制備CVD設備 BTF-1200C-Ⅲ-S-400C-D
設備型號:BTF-1200C-Ⅲ-S-400C-D 設備簡介:前端預熱法硫化鉬制備CVD設備由預熱爐、三溫區管式爐、低真空機組和供氣系統組成。前端配有可加熱到500℃的預加熱器,輔助硫粉蒸發,后端為三溫區硫化爐,溫度控制精確,操作簡便。同時搭配三路質量流量計系統,可以精確控制實驗所需的氣體流量,低真空機組可以滿足抽真空的需求。
中試流化床-粉體碳納米管生長設備 BTF-1200C-5VT-D200
設備型號:BTF-1200C-5VT-D200 設備簡介:流化床—粉體碳納米管生長設備可控及批量制備碳納米管設備,該設備包括有:流化床反應器、五溫區加熱裝置、催化劑裝載平臺、密封裝置。氣體經過氣體流量控制裝置后與流化床反應器的進氣口相連接,氣源進入反應腔體后與催化劑發生反應,從而生長碳納米管。
磁控濺射儀 BT250
設備型號:BT250 設備簡介:磁控濺射是利用磁場束縛電子的運動(即磁控管模式),其結果導至轟擊基片的高能電子的減少和轟擊靶材的高能離子的增多,使其具備了“低溫”、“高速”兩大特點。磁控濺射法制備的薄膜厚可控性和重復性好、薄膜與基片的附著能力強,膜層純度高。
1200℃智能型單溫區滑軌式熱處理設備 BTF-1200C-SL-4Z
設備型號:BTF-1200C-SL-4Z 設備簡介:管式真空/氣氛提純分離裝置主要用途是在真空條件下預先抽真空后進行惰性氣體洗氣。氣氛流動(一進一出,維持常壓)情況下對有機混合物進行升華達到純化的目的(即蒸發后再結晶)。主要處理對象為具有升華性的有機材料或具有流動相持性混合物如有機聲光產品(有機發光顯示器使用的有機光電材料)或納米材料。
半導體前驅體提純儀/藥品提純儀/去金屬離子提純儀
設備型號:BOF-6-210 設備簡介:此設備在出料端配置對面四工位手套箱,手套箱內設置底鋪設四氟墊或噴涂特氟能起到防腐作用,半導體材料升華儀根據材料升華溫度、分子量的差異,對于材料進行提純,參數準確,工藝可靠穩定,實驗結果表明,單次升華可大幅度降低有機材料中的雜質金屬離子濃度,將材料的純度提升一至三個數量級。整個操作過程材料與大氣隔絕,避免了大氣中水、氧的影響以及灰塵的污染,是制備高純度半導體前驅體及相關材料的最佳選擇。
半導體前驅體提純儀/藥品提純儀/去金屬離子提純儀
設備型號:BOF-5-100V 設備簡介:此款設備將實驗級別的升華機右端料端均對接手套箱,手套箱可內襯四氟或噴涂特氟能起到防腐作用,半導體材料升華儀根據材料升華溫度、分子量的差異,對于材料進行提純,參數準確,工藝可靠穩定,實驗結果表明,單次升華可大幅度降低有機材料中的雜質金屬離子濃度,將材料的純度提升一至三個數量級。整個操作過程材料與大氣隔絕,避免了大氣中水、氧的影響以及灰塵的污染,是制備高純度半導體前驅體及相關材料的最佳選擇。
垂直式升華儀 BOF-2-200L
設備型號:BOF-2-200L 設備簡介:本款設備專用于金屬有機物等低升華點腐蝕性材料的升華提純。原材料罐可以根據所需條件,自由選擇油浴、沙浴、電加熱等方式,通過對管道進行加熱避免材料沉積在管道內;采用雙冷阱作為收集罐,可以對兩組分別升華收集;機械泵前設置深冷冷阱,避免殘余物質進入機械泵中,大大延長了機械泵的使用壽命。原料罐、收集罐可以封閉后直接放入手套箱操作,避免了大氣中水、氧等對材料的影響。腔體、管道、閥門采用316不銹鋼材質,內壁有40um的聚四氟涂層,避免金屬腔體對材料的污染;外表進行精拋光處理,便于清理。
分體式升華設備將熱場置于手套箱 BOF-3-50V
設備型號:BOF-3-50V 設備簡介:此款設備簡易分體式結構,能將升華體置于手套箱內部,控制部分及真空部分置于手套箱外,操作簡易。能初步滿足材料進出及升華過程中的氣氛保護要求。法蘭為球頭真空吸附方式密封,無需工具操作,大大降低了手套箱內的操作難度,整個操作過程材料與大氣隔絕,避免了大氣中水、氧的影響以及灰塵的污染,是制備高純度半導體前驅體及相關材料的最佳選擇。
1200℃加長雙溫區管式爐 BTF-1200C-II-D-880
設備型號:BTF-1200C-II-D-880
卷對卷連續化走絲BN沉積系統  RTR-1400C-III-60
設備型號:RTR-1400C-III-60 設備簡介:該設備為我司研發用于材料連續生長的專用設備,此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長爐,它由高溫生長加熱系統,真空密封腔室,剛玉管,SiC纖維卷繞部件,自動化控制系統組成,兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室(即收放卷的密封裝置),收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪,所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點。
真空氣氛箱式爐 ZMF-1400C
設備型號:ZMF-1400C 設備簡介:貝意克自主研發生產的ZMF-1400C真空箱式爐系列用于在1350℃以下金屬材料的熱處理和還原性燒結等工藝,也可用于產品的炭化試驗。該爐采用優質U型硅棒加熱,PID程序控溫儀控制,溫控儀可設定30段升溫曲線、PID控制參數自整定、并具有斷偶、超溫報警保護等功能。爐體采用超輕質高鋁纖維材料,具有熱容小、溫度升降控制靈活、節能等特點,真空加熱室由雙層鋼板焊成圓桶形密封套,內裝爐膛和端蓋,為設備提供優良的真空加熱環境;同時利用鋼板夾層隔絕熱量,降低了爐體表面溫度,防止灼傷。設備可根據真空度的需要分別選用機械泵或真空機組, 非常適合于試驗和小批量生產之用。
卷對卷連續化生長CVD設備 RTR-III-80
設備型號:RTR-III-80 設備簡介:該設備為我司研發用于石墨烯薄膜連續生長或者線性材料的連續的專用設備,此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長爐,它由高溫生長腔體,三路質量流量計氣路系統,真空機組,石英管,冷卻裝置,收放卷的密封裝置,自動化控制系統組成,兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室(即收放銅箔或纖維絲的密封裝置),收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪,所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點,可以進行大面積、高質量石墨烯的規?;L或者線性材料的連續生長。(纖維生長工藝,配有纖維張力計,可以通過調節電機轉速,以便達到纖維連續進出且受力均勻)
上一頁
1
2
国产精品r级在线|亚洲色偷偷偷综合网另|欧美日韩亚洲国产主播第一区|幻女FREE性俄罗斯毛片