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1200℃真空氣氛箱式爐 ZMF-1200C-M
設備型號:ZMF-1200C-M
真空氣氛箱式爐 ZMF-1400C
設備型號:ZMF-1400C 設備簡介:貝意克自主研發生產的ZMF-1400C真空箱式爐系列用于在1350℃以下金屬材料的熱處理和還原性燒結等工藝,也可用于產品的炭化試驗。該爐采用優質U型硅棒加熱,PID程序控溫儀控制,溫控儀可設定30段升溫曲線、PID控制參數自整定、并具有斷偶、超溫報警保護等功能。爐體采用超輕質高鋁纖維材料,具有熱容小、溫度升降控制靈活、節能等特點,真空加熱室由雙層鋼板焊成圓桶形密封套,內裝爐膛和端蓋,為設備提供優良的真空加熱環境;同時利用鋼板夾層隔絕熱量,降低了爐體表面溫度,防止灼傷。設備可根據真空度的需要分別選用機械泵或真空機組, 非常適合于試驗和小批量生產之用。
卷對卷連續化生長CVD設備 RTR-III-80
設備型號:RTR-III-80 設備簡介:該設備為我司研發用于石墨烯薄膜連續生長或者線性材料的連續的專用設備,此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長爐,它由高溫生長腔體,三路質量流量計氣路系統,真空機組,石英管,冷卻裝置,收放卷的密封裝置,自動化控制系統組成,兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室(即收放銅箔或纖維絲的密封裝置),收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪,所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點,可以進行大面積、高質量石墨烯的規?;L或者線性材料的連續生長。(纖維生長工藝,配有纖維張力計,可以通過調節電機轉速,以便達到纖維連續進出且受力均勻)
自動進料回轉CVD系統 BTF-1200C-R-CVD
型號:BTF-1200C-R-CVD
大口徑動態plasma輔助法卷對卷式石墨烯制備設備 RTR-150
設備型號:RTR-150 設備簡介: 該設備為我司研發用于材料連續生長的專用設備,此款設備是快速冷卻卷對卷等離子體增強CVD連續生長爐,它由高溫生長腔體,質量流量計氣路系統,真空機組,RF射頻電源模塊,石英管,冷卻裝置,收放卷的密封裝置,自動化控制系統組成,兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室(即收放卷的密封裝置),收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪,所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點。
回轉PECVD BTF-1200C-R-PECVD
設備型號:BTF-1200C-R-PECVD 設備簡介:本款設備可以做金屬復合石墨烯材料,是目前最高端的金屬復合材料制備設備??梢杂糜趧恿﹄姵?,提升電池內阻和能量密度,有效解決新能源汽車電池的問題。設備爐管可360度旋轉,管內壁有石英擋片幫助粉料翻轉有助于燒結得更均勻;可左右大角度傾斜,方便出放料,傾斜角度在0~35°之間。全自動Plasma增強CVD系統(PECVD),連續可控溫度以及Plasma強度等,配備真空系統,可以實現低壓條件下的實驗,針對低溫石墨烯、碳納米管生長等。PECVD系統能使整個實驗腔體都處于輝光產生區,輝光均勻等效,這種技術很好的解決了傳統等離子工作不穩定狀態,這樣離子化的范圍和強度是傳統PECVD的百倍,并解決了物料不均勻堆積現象。
碳納米纖維膜系統 BTF-1400C-CN-80
設備型號:BTF-1400C-CN-80 設備簡介:碳納米纖維膜系統,是通過集高溫場、設計的薄膜采集系統及液態碳源調控系統于一體的碳納米管制備設備。此系統采取液態碳源的方式,通過載氣和壓力引導,使碳源通過高溫區,并在高溫區進行裂解,在催化劑等的作用下得到碳納米管材料,此材料最終沉積后端收集系統的成膜區,形成碳納米管薄膜,可被應用于眾多光電領域。
OLED真空攪拌勻料系統 BTF-1200C-RF-II-210
設備型號:BTF-1200C-RF-II-210
高真空封口機 BOF-04PA
設備型號:BOF-04PA 設備簡介:高真空封口機為老化試驗封裝而設計,本設備配備進口高真空機組,氫氧發生源,旋轉真空機構,微調結構等。設備操作簡單、安全、方便。
流化床—粉體碳納米管生長設備
設備簡介:流化床—化學氣相沉積法可控及批量制備碳納米管設備,該設備包括有:自動加液裝置、超聲波霧化發生裝置、氣體供應裝置、氣體流量控制裝置、三溫區流化床反應器及加熱裝置、旋風分離器、固體收集裝置、凈化處理裝置。氣體供應裝置出氣口在經過氣體流量控制裝置后與超聲波霧化裝置進氣口相連接,自動加液裝置出液口與超聲波霧化發生裝置進液口相連接,通過霧化裝置內部的液體控制裝置來控制加液。超聲波霧化裝置的出口與三溫區流化床反應器的進料口相連接,反應器的出料口通過透明管與旋風分離器相連接,旋風分離器上面的氣體出口與凈化處理裝置相連接,下面的固體捕集出口與固體收集器相連接。經過旋風分離器后,大量的氣體向上通過凈化裝置后排向大氣,而固體則捕集到固體收集裝置中。碳納米管生長最難控制的就是氣場和流場溫度差異相互影響,由于變量太多,無法確保生長的碳納米管形態一致,從而質量非常低,本方案完全解決氣場和流場及溫度變量的相互影響。 本方案通過流量計和靜態混氣室把氣體均勻混拌,通過上通氣,氣體通過雙層管(夾層管預熱氣體,內腔體生長碳納米管)確保通入的氣體進入生長腔體內溫度一直,通過多空陶瓷網的結構設計,從而解決均勻進氣的問題。使的生長腔體熱場流場穩定,確保得到高質量重復性好的碳納米管。
1400℃真空淬火爐 BTF-1400C-BVT
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大三溫區立式爐 VTF-1200C-III-A-100
設備型號:VTF-1200C-III-A-100 設備簡介:該設備為三溫區立式加熱爐,最高溫度為1200℃,加熱區域300+300+300.加熱爐管為高純石英管,兩端配有水冷法蘭,爐管及法蘭固定在擺動機構上,擺動機構可以將爐管轉出加熱區,以實現快速降溫。
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